Микроэлектроника и микросхемотехника

1 сообщение / 0 новое
admin
Аватар пользователя admin
Микроэлектроника и микросхемотехника

Студентам гр. 381972

Индивидуальные задания по дисциплине “Микроэлектроника и микросхемотехника” для студентов заочной формы обучения по специальности “Промышленная электроника” представляют собой подготовку рефератов, содержащих вопросы по трем разделам дисциплины:

  1. Микроэлектроника: общие сведения
  2. ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА МИКРОСХЕМ
  3. СХЕМОТЕХНИКА ТИПОВЫХ УЗЛОВ И КАСКАДОВ ИНТЕГРАЛЬНЫ МИКРОСХЕМ: ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ИСТОЧНИКИ ТОКА И НАПРЯЖЕНИЯ

Варианты заданий – в соответствии с порядковым номером студента в списке группы.

Варианты заданий представлены в таблице:

1

Бельский Александр Михайлович

 

  1. Элементы интегральных схем. Транзисторы р-п-р
  2. Герметизация микроэлектронных устройств. Герметизация корпусов контактной сваркой.
  3. Интегральные источники опорного напряжения: Основные параметры источников опорного напряжения.

 

2

Богданович Дмитрий Сергеевич

 

  1. Элементы интегральных схем. Интегральные диоды
  2. Герметизация микроэлектронных устройств. Герметизация на основе органических материалов.
  3. Интегральные источники опорного напряжения: Влияние отрицательной обратной связи (ООС) на выходное сопротивление.

 

3

Винцек Себастьян Станиславович

 

  1. Элементы интегральных схем. Полевой транзистор
  2. Типовые технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Технология изготовления полупроводниковых биполярных интегральных микросхем с диэлектрической изоляцией
  3. Интегральные источники опорного напряжения: Схемы источников опорного напряжения.

 

4

Галиевский Виталий Александрович

 

  1. Элементы интегральных схем. МДП-транзисторы
  2. Типовые технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Технология изготовления интегральных микросхем на МОП-транзисторах.
  3. Интегральные источники опорного напряжения: Термокомпенсация и термостабилизация.

 

 

5

Данилов Андрей Сергеевич

 

  1. Элементы интегральных схем. Полупроводниковые резисторы
  2. Типовые технологические процессы изготовления плат гибридных интегральных микросхем, и микросборок. Технология изготовления плат толстопленочных гибридных интегральных микросхем.
  3. Интегральные источники опорного напряжения: Примеры схем термокомпенсированных и термостабилизированных источников опорного напряжения.

 

6

Зезюльчик Егор Михайлович

 

  1. Элементы интегральных схем. Полупроводниковые конденсаторы
  2. Конструктивно-технологические особенности изготовления индикаторных устройств. Изготовление индикаторов на светодиодах.
  3. Источник опорного напряжения, определяемого шириной запрещенной зоны кремния.

 

7

Земницкий Андрей Анатольевич

 

  1. Элементы ИС на полупроводниках группы AIIIBV
  2. Технология тонких пленок. Термовакуумный метод получения тонких пленок.
  3. Интегральные источники тока. Основные параметры источников тока.

 

8

Квиткевич Сергей Владимирович

 

  1. Элементы пленочных ИС
  2. Типовые технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Технология изготовления полупроводниковых  биполярных интегральных микросхем с комбинированной изоляцией.
  3. Интегральные источники тока. Простое токовое зеркало и его модификации: принцип работы, вывод формулы для выходной проводимости.

 

 

 

9

Корончик Александр Владимирович

 

  1. Элементы интегральных схем. Общая классификация
  2. Технология тонких пленок. Импульсное нанесение пленок.
  3. Интегральные источники тока. Токовое зеркало Уилсона: схема, принцип работы,

 

10

Крикун Святослав Дмитриевич

 

  1. Элементы интегральных схем. Изоляция элементов
  2. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. Ионно-плазменное травление.
  3. Интегральные источники тока. Токовое зеркало Уилсона вывод формулы для выходной проводимости.

 

11

Крицук

 

  1. Элементы интегральных схем. Интегральные диоды
  2. Диффузия в полупроводниках. Внешние источники примеси для кремния.
  3. Интегральные источники опорного напряжения: Влияние отрицательной обратной связи (ООС) на выходное сопротивление.

12

Куриляк Сергей Игоревич

 

  1. Элементы интегральных схем. МДП-транзисторы
  2. Ионная имплантация. Образование радиационных дефектов.
  3. Интегральные источники опорного напряжения: Примеры схем термокомпенсированных и термостабилизированных источников опорного напряжения.

 

13

Литманович Евгений Александрович

 

  1. Элементы интегральных схем. Элементы ИС на полупроводниках группы AIIIBV
  2. Фотошаблоны и технология их изготовления. Контроль параметров фотошаблонов
  3. Интегральные источники тока. Простое токовое зеркало и его модификации: принцип работы, вывод формулы для выходной проводимости.

 

 

 

14

Лычковский Алексей Владимирович

 

  1. Элементы интегральных схем. Элементы интегральных схем. Общая классификация
  2. Литографические процессы. Удаление фоторезистивных пленок.
  3. Интегральные источники тока. Токовое зеркало Уилсона вывод формулы для выходной проводимости

 

15

Матусь Александр Викторович

 

  1. Элементы интегральных схем. Элементы интегральных схем. Изоляция элементов
  2. Сборка микроэлектронных устройств. Оборудование микросварки
  3. Интегральные источники опорного напряжения: Основные параметры источников опорного напряжения.

 

16

Москалёв Алексей Вячеславович

 

  1. Элементы интегральных схем. Транзисторы п-р-п
  2. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. Межоперационная очистка поверхности полупроводниковых подложек.
  3. Интегральные источники тока. Токовое зеркало Уилсона вывод формулы для выходной проводимости

 

 

Литература:

  1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники, М.: Лаборатория Базовых Знаний  2004.
  2. Алексеенко А.Г. Основы микросхемотехники М.: Лаборатория Базовых Знаний  2002.
  3. Готра 3. Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник.-М.: Радио и связь, 1991.—528 с.: ил.
  4. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство. Пер. с нем.-М.: Мир, 1982.-512 с., ил.

 

Требования к рефератам:

  1. Объем не более 5 стр. на каждый вопрос.
  2. Краткое и четкое изложение темы, с описанием процессов, схем, табл. и т.д.
  3. Наличие выводов и заключения.

 

Категории: