Тесты по ФОСЭТ

Тест 1

 

1. Длина волны де Бройля  электрона 0,5 нм, а длина волны де Бройля  протона 2 нм. Как и во сколько раз импульс электрона отличается от импульса протона?

1. импульс электрона в 4 раза больше импульса протона
2. импульс электрона в 4 раза меньше импульса протона
3. импульсы протона и электрона одинаковы
4. импульс электрона в 2,5 раза больше импульса протона
5. импульс электрона  много  больше импульса протона

 

1. Экспериментально волновые свойства частиц подтверждает явление
   1. отражения
   2. дифракции
   3. дисперсии
   4. поляризации
   5. диффузии

 

1. Длина волны де Бройля микрочастицы не зависит от

1. кинетической энергии •
2. спина •
3. массы •
4. скорости
5. импульса

 

4. Выпрямительные диоды предназначены для преобразования:

1) постоянного тока в переменное напряжение;

2) переменного сопротивления в постоянное;

3) постоянного напряжения в переменное напряжение;

4) переменного тока в постоянное напряжение;

5) переменного тока в постоянный.

 

5. Когда могут образоваться новые энергетические уровни в кристаллах полупроводников?
1. воздействием электрического поля
2. при дефектах кристаллической решетки +
3. введением других элементов в кристаллическую решетку +
4. воздействием излучения
5. тепловыми полями

 

6.  Где располагается уровень Ферми у примесных полупроводников n-типа?

 1) Посредине запрещенной зоны. 2) В валентной зоне. 3) В зоне проводимости. 4) В запрещенной зоне вблизи валентной зоны. 5) В запрещенной зоне вблизи зоны проводимости.

 

7. Как изменится положение уровня Ферми примесного полупроводника р-типа при повышении температуры?

1) Уровень Ферми сместится вниз к середине запрещенной зоны. 2) Уровень Ферми сместится вверх к середине запрещенной зоны. 3) Положение уровня Ферми не изменится. 4)нет правильного ответа.

 

8. Как влияет повышение температуры на положение уровня Ферми в полупроводнике n-типа?

1) Уровень Ферми стремится ко дну зоны проводимости. 2) Уровень Ферми стремится к середине запрещенной зоны. 3) Уровень Ферми остается на месте. 4) Уровень Ферми переместится  в сторону валентной зоны.

5)нет правильного ответа.

 

9.Прохождение тока в газах связано с

1)ионизацией и рекомбинацией ;

2)рекомбинацией без ионизации;

3) ионизацией без рекомбинации ;

4)электризацией и термоэлектронной эмиссией.

5) ионизацией газа инфракрасным или гамма- излучением.

 

10.Переход от несамостоятельного разряда к самостоятельному возможен вследствие

1) увеличения разности потенциалов между электродами;

2)ионизации газа вследствие нагревания ;

3) начала ионизации электронным ударом;

4)ионизации газа инфракрасным или гамма- излучением.

5) нет правильного ответа

 

1. Проводимость полупроводника, которая возникает в результате разрыва собственных ковалентных связей:

1.  примесная
2.  ковалентная
3.  собственная
4.  Фотопроводимость
5. ионизация

 

 

1. При уменьшении температуры удельная электрическая проводимость полупроводников:

1.  уменьшается
2.  увеличивается
3.  остается без изменений
4.  сначала увеличивается, потом уменьшается

 

 

1. Какой из полупроводников обладает в равной мере как электронной так и дырочной электропроводностью?

1. n-типа;
2. р-типа;
3. собственный;
4. вырожденный
5. нет правильного ответа   
    

1. Почему  при увеличении температуры уменьшается сопротивление полупроводника?
    

1. увеличивается длина свободного пробега электронов;
2. увеличивается количество свободных носителей заряда;
3. усиливаются тепловые колебания узлов кристаллической решетки;
4. при увеличении температуры сопротивление полупроводников увеличивается;
5. нет правильного ответа   
    

 

1.  В чем заключается эффект Холла в полупроводнике?
    

1. в нагреве полупроводника в электрическом поле;
2. в возникновении ЭДС в магнитном поле;
3. в изменении сопротивления в магнитном поле;
4. в изменении  концентрации электронов и «дырок»;
5. нет правильного ответа  
    

 

   16. Величину равновесной контактной разности n-p перехода можно определить с помощью следующего выражения

1.        

2.        

3.        

4. нет правильного ответа  

 

  17. Дрейфовый ток через p-nпереход обусловлен:
1. приложенным внешним электрическим полем
2. влиянием температуры
3. стремлением электронов занять энергетически устойчивое положение
4. разностью концентраций основных носителей заряда в p и n областях
5. отсутствием внешнего электрического поля

 

18. Вырожденный полупроводник- полупроводник (примесный) у которого уровень Ферми лежит ..

только в зоне проводимости.

1. в зоне проводимости или в валентной зоне
2. только в валентной зоне.
3. посередине запрещённой зоны.

 

          19. При увеличении температуры электропроводность у примесных полупроводников:
             1.  остаётся постоянной

              2. уменьшается

   3.уменьшается, а при высоких температурах начинает возрастать

        4. возрастает, а при высоких температурах начинает убывать
 

20 . Туннельный пробой диода связан с…

1. резким возрастанием тока при его прямом включении
2. резким возрастанием тока в результате ударной ионизации атомов полупроводника
3. резким возрастанием тока в результате туннельного перехода валентных электронов из p- в n- область
4. резким возрастанием тока, если количество теплоты, выделяемой в переходе, превышает количество отводимой теплоты

 

Тест 2

1.Электрон, протон, атом водорода и атом гелия обладают одинаковой кинетической энергией Wk. Наибольшую длину волны де Бройля имеет …

1. Электрон
2. Атом водорода
3. Протон
4. Атом гелия
5. Нет правильного ответа

 

2. Какова валентность материалов ковалентных полупроводников?

1) Три. 2) Пять 3) Четыре. 4) Один-два. 5) Семь-восемь.

 

3. Какова примерно относительная концентрация легирующих примесей в полупроводниках, используемых для изготовления большинства полупроводниковых приборов?

1) Один атом примеси на 100 атомов полупроводника. 2) Один атом примеси на 10 000 атомов полупроводника. 3) Один атом примеси на 1000 000 атомов полупроводника. 4) нет правильного ответа.

 

4. Как меняется положение уровня Ферми полупроводника n-типа с увеличением концентрации примеси?

1) Смещается ко дну зоны проводимости. 2) Смещается к середине запрещенной зоны. 3) Остается на прежнем месте. 4)нет правильного ответа.

 

5. Как влияет увеличение концентрации легирующей примеси на положение уровня Ферми в полупроводнике p-типа?

1) Уровень Ферми остается на месте. 2) Уровень Ферми стремится к середине запрещенной зоны. 3) Уровень Ферми стремится к потолку валентной зоны. 4)нет правильного ответа.

 

 

 

6. Что такое диффузия носителей в полупроводнике?

1) Движение носителей за счет электрического поля. 2) Хаотическое тепловое движение носителей. 3) Движение за счет разности концентраций.

4)нет правильного ответа.

 

7.Процесс сгорания топлива в двигателе внутреннего сгорания связан с

1)искровым разрядом; 2)тлеющим разрядом; 3)дуговым разрядом; 4)коронным разрядом

 

8.Потеря электроэнергии при передаче тока по проводам может быть связана с

1) тлеющим разрядом; 2)искровым разрядом; 3)дуговым разрядом; 4)коронным разрядом

 

9. Цвет свечения газа не зависит от

1) его давления и температуры; 2) давления и рода газа; 3) рода газа и его температуры ; 4)рода газа и подаваемого напряжения

 

10. Откуда взялся тепловой ток p-n перехода?

1. p-n переход нагрелся и начал проводить ток по поверхности;
2. наряду с приместной проводимостью полупроводник обладает ещё и собственной проводимостью;
3. начинается пробой перехода из-за нагрева;
4. из-за наличия примесей в полупроводнике;
    

11.  Чем гетеропереход принципиально отличается от гомоперехода?

1. наличием областей с различной шириной запрещенной зоны
2. возможностью образования как анизотипных, так и изотипных переходов
3. наличием различных барьеров для электронов и дырок, что позволяет получить одностороннюю инжекцию.
4.  видом ВАХ, сильно зависящим от концентрации дефектов вблизи металлургической границы

 

12. Инжекционная люминесценция - это

1.  излучение кванта света при рекомбинации электронно-дырочной пары;
2.  взаимодействие электрона с потоком светового излучения;
3.  генерация электронно-дырочной пары при поглощении полупроводником кванта световой энергии;
4. выделение тепла при освещении полупроводника

 

13.   Что такое дрейф носителей в полупроводнике?

1) Движение носителей за счет электрического поля. 2) Хаотическое тепловое движение. 3) Движение за счет разности концентраций. 4)нет правильного ответа.

 

14 .Какая характеристика диода является основной?

1. вольтамперная
2. амплитудно-частотная
3. выпрямительная
4. диодная
5. температурная

 

15. Полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения в источниках питания – это:

1. стабилитрон
2. транзистор
3. усилитель
4. триод
5. мультивибратор

 

16..Какие виды пробоя лежат в основе работы стабилитрона?

1. лавинный и туннельный
2. тепловой и лавинный
3. лавинный и снеговой
4. туннельный и шахтовый
5. поверхностный

 

17.В результате чего возникает лавинный пробой?

1. ударной ионизации
2. ударной волны
3. ионизации излучения
4. полярной ионизации
5. старения диода

 

18.Варикап – это

1. Диод, применяемый для стабилизации напряжения
2. Диод, способный генерировать колебания
3. Диод – управляемая емкость
4. Диод для преобразования переменного тока в пульсирующий
5. Диод, предназначеный усиливать колебания

 

1. Преимуществом германиевых выпрямительных диодов перед кремниевыми является
   1. более высокое обратное напряжение;
   2. минимальный обратный ток;
   3. более высокая допустимая температура;
   4. небольшое падение напряжения на переходе при прямом включении;
   5. дешевизна

 

20. Какой из параметров используется для оценки  свойств импульсных диодов

1. дифференциальные сопротивления;
2. время восстановления обратного сопротивления ;
3. максимальная рабочая температура;
4. максимальное значение обратного напряжения,
5. максимальный рабочий ток.

Тест 3

1.  Уравнение Шредингера позволяет определить

1.  вероятность обнаружения частицы в заданной точке пространства
2.  координаты квантово-механической частицы
3.  время пролета частицы
4.  расстояние  от заданной точки
5.  массу частицы

 

2.Основополагающие положения квантовой механики 1) корпускулярно-волновой дуализм света 2) соотношение неопределенности Гейзенберга 3) преобразования Лоренца 4) постоянная Планка 5) представление о волновой функции ψ/(х, у, z, t)

 

1. Электрон и альфа-частица имеют одинаковые импульсы. У какой частицы больше  длина волны де Бройля?

1. у альфа-частицы
2. у электрона
3. длины волн электрона и альфа-частицы одинаковы
4. альфа-частица  не обладает волновыми свойствами
5. электрон  не обладает волновыми свойствами

 

1. Постоянная Планка h в СИ имеет размерность

1) Дж х с²) Кл х В х с   3) Кл² х В х с²    4) эВ х с2    5) Вт х с²

 

1. Стабилитрон – это
   1. полупроводниковый диод, работающий в режиме электрического пробоя;
   2. полупроводниковый диод, обладающий высокой концентрацией примесей;
   3. полупроводниковый диод, имеющий малое значение барьерной емкости;
   4. полупроводниковый диод, обладающий малым дифференциальным сопротивлением;
   5. полупроводниковый диод – управляемая емкость.

 

1. .Вольтамперная характеристика #2 соответствует
2. германиевому диоду
3. кремниевому диоду
4. диоду Шотки
5. туннельному диоду
6. электровакуумному диоду

 

	1
			2
					3

 

 

 

 

 

 

 

7.  Что такое "Область пространственного заряда" ?

1) это область, обедненная подвижными носителями заряда.

2) это область с повышенной концентрацией подвижных носителей заряда.

3) это область, где заряд положительных ионов компенсирован зарядом подвижных электронов

 4)нет правильного ответа.

 

   8. Когда могут образоваться новые энергетические уровни в кристаллах полупроводников?

1. воздействием электрического поля
2. при дефектах кристаллической решетки +
3. введением других элементов в кристаллическую решетку +
4. воздействием излучения
5. тепловыми полями

 

9. Укажите основные характеристики структуры материала:

1. концентрация носителей заряда

2. степень упорядоченности расположения микрочастиц

3. наличие и концентрация дефектов

4. электропроводность

5. масса

10. Какое из следующих утверждений для гомоперехода верное:

1) контактная разность равна разности термодинамических работ выхода p и n областей;

2) контактная разность равна разности уровней Ферми p и n областей;

3) контактная разность равна разности сродства к электрону p и n областей.

4) все утверждения

 

11. Обратный ток реального p-n-перехода больше или меньше чем в идеализированном и почему?

1. больше, так как в реальном p-n-переходе в обратный ток вносит вклад ток, обусловленный рекомбинацией носителей в обедненной области
2. больше, так как в реальном p-n-переходе существует также токи термогенерации носителей.
3. Меньше, так как токи термогенерации носителей в реальном p-n-переходе направлены против обратного тока
4. Меньше, вследствие эффекта модуляции сопротивления базы

 

12. Какова должна быть степень легирования базовой области стабилитрона в зависимости от величины напряжения стабилизации?

1. для высоковольтных стабилитронов концентрация примесей в базе должна быть относительно высокой, чем для низковольтных
2. для низковольтных стабилизаторов степень легирования примесями базовой области должна быть относительно низкой, чем для высоковольтных
3. для высоковольтных стабилитронов концентрация примесей в базе должна быть низкой, а для низковольтных - высокой.
4. нет правильного ответа.

 

13.У диода, включенного в прямом направлении определенный участок ВАХ можно апроксимировать прямой линией. При нагреве диода эта прямая линия будет смещаться к началу координат. Чем объяснить это смещение?

1) увеличением обратного тока диода

2) уменьшением контактной разности потенциалов.

3) изменением сопротивления толщи областей материала диода.

4)нет правильного ответа.

 

14.По какому закону на начальном участке ВАХ ток смещенного в прямом направлении p-n- перехода завиcит от напряжения?

1) по линейному

2) по квадратичному.

3) по экспоненциальному

4)нет правильного ответа.

 

16. Что такое красная граница фотоэффекта:
          1) наименьшая длина волны
          2) длина волны красного света
           3) наибольшая длина волны 

           4) максимальная длина волны излучений   и  мини­мальные соответственно частота и круговая частота, при которых еще возможен фотоэффект

 

17. Внешняя контактная разность потенциалов обусловлена:

1) различием работ выхода;

2) разностью уровней Ферми;

3) поверхностными явлениями:

4) эффектом Зеебека.

18. Что собой представляет эффект Пельтье?

 1) это выделение или поглощение теплоты в контакте двух разнородных полупроводников или полупроводника и металла при протекании через контакт электрического тока;

2) если равновесная энергия электронов в металле меньше, чем в зоне проводимости полупроводника, то при протекании электрического тока из полупроводника в металл [напряжение (+) - на полупроводнике, (-) - на металле] электроны получают дополнительную энергию за счет атомов решетки вблизи контакта, который охлаждается;

3) при противоположной полярности напряжения электроны полупроводника с большей равновесной энергией перетекают в металл и отдают избыток энергии при столкновениях с атомами металла. Контакт нагревается;

4) возникновение потенциального барьера для носителей заряда в контакте металлполупроводник.

 

 

19. Солнечная батарея представляет собой

1.Интегральная матрица из фотодиодов

2..Интегральная матрица из фоторезисторов

3. Интегральная матрица из фототиристоров

4)нет правильного ответа.

 

20. Под внутренним фотоэффектом понимают…

1.Фотогенерацию в полупроводнике под действием внешнего освещения

2.Процесс испускания электронов твердым телом под действием внешнего освещения

3. Излучательную  рекомбинацию

4) инжекционную люминесценцию

Тест 4

   1.. Принцип неопределенности Гейзенберга гласит, что

1.  любая квантовая система не может находиться в состояниях, в которых координаты центра масс и импульс одновременно принимают точные значения
2.  в любом атоме не может быть 2-х электронов, находящихся в состоянии, определяемом одинаковым набором 4-х квантовых чисел
3. свет представляет собой сложное явление, сочетающее в себе свойства электромагнитной волны и свойства потока частиц
4.  вероятность заполнения уровня, при отличной от нуля температуре, может быть определена с вероятностью не более ½

 

2. Согласно гипотезе де  Бройля

1.  при рассеянии рентгеновского излучения на веществе происходит изменение его длины волны
2. свет представляет собой сложное явление, сочетающее в себе свойства электромагнитной волны и свойства потока частиц
3. все нагретые вещества излучают электромагнитные волны
4.  частицы вещества наряду с корпускулярными имеют и волновые свойства
5.  атом излучает фотон при переходе из возбужденного состояния в стационарное

 

3. Диффузией называется…

1. перенос вещества, обусловленный беспорядочным тепловым движением частиц

2. способность вещества существовать в различных кристаллических модификациях

3. зависимость свойств от направления, являющаяся результатом упорядоченного расположения атомов (ионов) в пространстве

4. поверхностный дефект строения кристаллической решетки

5. перенос заряженных частиц, обусловленный полем в веществе

 

4.  Классификация дефектов кристаллических структур осуществляется по:

1. времени существования дефектов

2. размерности дефектов

3. вероятности возникновения

4. дефекты не классифицируются

5. концентрации примесей

5.  Точечных классов в кристаллографии существует:

1) 230

2) 7

3) 32

4) 180

5) нет правильного ответа

 

6. На основе Si изготовили два диода с симметричным p-n- переходом. Степень легирования областей диода 1 составляет 10¹⁶ см^-3, у второго диода 10¹⁵ см^-3. У какого из диодов напряжение пробоя выше?

1. второго диода.
2. диода 1
3. у обоих диодов одинаково
4. нет правильного ответа.

 

7. При прямых токах, превышающих предельно допустимое значение, диод, как правило, выходит из строя. Какова наиболее частая причина отказа?

1) электрический пробой

2)тепловой пробой или выгорание p-n-перехода

3) туннельный пробой

4)нет правильного ответа.

 

 8. Какие токи протекают через равновесный p-n переход?

1) диффузионные токи основных носителей заряда – дырок в электронную (n) область и электронов в дырочную (p) область;

2) возникшее вследствие диффузии основных носителей контактное (диффузионное) электрическое поле вызывает дрейфовые токи неосновных носителей заряда – электронов из p-области в n-область и дырок из n-области в p-область;

3) в равновесном p-n переходе существует только хаотичное тепловое движение основных и неосновных носителей заряда, вследствие чего результирующий ток через p-n переход равен нулю;

4) в равновесном p-n переходе диффузионные потоки основных носителей заряда (дырок из p- и электронов из n-области, соответственно) уравновешиваются встречными дрейфовыми токами неосновных носителей заряда: дырок и электронов из n- и p-областей, соответственно.

 

9.Какие носители участвуют в обратном токе через p-n переход?

    1) в обратном токе при малом напряжении имеется компонента, обусловленная диффузией основных носителей заряда;

    2) с увеличением высоты потенциального барьера при росте величины обратного напряжения, величина тока основных носителей заряда уменьшается до нуля и тогда обратный диффузионного ток будет определяться только неосновными носителями заряда;

      3) обратный ток p-n перехода не связан с неосновными носителями заряда, поскольку потенциальный барьер в p-n переходе является препятствием для электронов p-области и для дырок n-области;

     4) в области насыщения обратный ток через p-n переход полностью определяется основными носителями заряда

10.Инжекция неосновных носителей заряда в p-n переходе?

     1) это переход неосновных носителей заряда – электронов из p- в n-область, вследствие чего там возрастает их общая концентрация;

      2) это переход неосновных носителей заряда – дырок из n-области в p-область;

     3) при подаче на p-n переход прямого смещения снижается высота потенциального барьера и в n- и p- областях увеличиваются концентрации неосновных носителей заряда, т.е., соответственно, дырок в n- и электронов в p-областях, что и является их инжекцией;

     4) увеличение концентрации неосновных носителей заряда вследствие повышения температуры p-n перехода называется инжекцией.

    

11. Зависимость значения фототока от величины падающего на фотоэлемент светового потока при постоянном напряжении между электродами называется

1) спектральная характеристика

2) спектральной чувствительностью

3) световая характеристика

4) интегральная чувствительность

5) вольтамперная характеристика

 

12. Зависимость спектральной чувствительности фотоэлемента от длины волны светового потока при неизменном напряжении между электродами определяет

1) спектральная чувствительность

2) спектральная характеристика

3) интегральная чувствительность

4) вольтамперная характеристика

5) световая характеристика

 

13. В кристаллах возможны оси симметрии:

1) любых порядков

2) 1, 2, 3, 4, 6 порядков

3) 2,3,4,5,6 порядков

4) 6, 7, и т.д. порядков

5) нет правильного ответа

 

14.Выделите среди нижеприведенных правильное определение диффузионной емкости p-n перехода? 1) Это внешняя емкость, подключенная к p-n переходу для снижения пульсаций; 2) Это емкость, обусловленная накоплением заряда неосновных носителей при прямом смещении p-n перехода и его рассасыванием при обратном смещении; 3) Это емкость, связанная с изменением толщины двойного слоя объемного заряда p-n перехода при подаче внешнего смещения; 4) Это емкость между металлическими контактами, через которые подается внешнее смещение к p-n переходу.

15.Назовите необратимые виды пробоев p-n перехода: 1) лавинный 2) туннельный 3) тепловой 4) поверхностный 14.

16. Переходный слой с существующим там диффузионным электрическим полем между двумя различными по химическому составу полупроводниками, обладающие различной шириной запрещенной зоны называется:

1) омический  переход   2) гетеропереход    3) p-n переход    4) переход Шоттки

1. Инжекция неосновных носителей заряда в p-n переходе? 1) это переход неосновных носителей заряда – электронов из p- в n-область, вследствие чего там возрастает их общая концентрация; 2) это переход неосновных носителей заряда – дырок из n-области в p-область; 3) при подаче на p-n переход прямого смещения снижается высота потенциального барьера и в n- и p- областях увеличиваются концентрации неосновных носителей заряда, т.е., соответственно, дырок в n- и электронов в p-областях, что и является их инжекцией; 4) увеличение концентрации неосновных носителей заряда вследствие повышения температуры p-n перехода называется инжекцией.
2. Коэффициент инжекции n-p перехода выражен следующим образом

  1. 

       2.

       3.

4. нет правильного ответа

 

1. В какой части контакта n-полупроводника с металлом сосредоточено контактное поле? 1) в металле, т.е. в области с наиболее высокой концентрацией электронов; 2) в запирающем слое полупроводника; 3) в обедненном слое с высоким удельным сопротивлением; 4) в приконтактном слое полупроводника, толщина которого d = (2εε0φ0 / q 2 nn0), где φ0 - высота потенциального барьера; nn0 - концентрация основных носителей заряда в nполупроводнике.

19. Существенная особенность оптоэлектронных устройств состоит в том, что

а) элементы в них оптически связаны, а электрически изолированы друг от друга;

б) элементы в них электрически связаны, а оптически изолированы друг от друга;

в) элементы в них электрически и оптически связаны;

г) элементы в них изолированы друг от друга

 

 

 

20. Длина волны голубого света 500 нм, а желтого 600 нм. Фотоны какого света имеют большую энергию:
              а) желтого
              б) голубого 
              в) одинаковы

               4) нет правильного ответа.

Тест 5

1. Сколько кристаллических систем (сингоний) существует в геометрической кристаллографии?

1) 14

2) 3

3) 7

4) 6

5) нет правильного ответа

 

2. Плоскость с индексами Миллера [111] отсекает:

1) на каждой оси одинаковое число осевых единиц

2) на каждой оси единичные отрезки, выраженные в осевых единицах

3) на двух осях по равному числу осевых единиц и параллельна третьей оси

4) одну ось и параллельна двум другим

5) нет правильного ответа

 

3. Почему свободные электроны в металлах не вносят вклад в теплоемкость при комнатных температурах?

1) т.к. они остаются «вырожденными» вплоть до температур плавления;

2) т.к. «экранируются» кристаллической решеткой;

3) т.к. подчиняются принципу Паули;

4) т.к. повышение температуры оказывает влияние только на электроны, находящиеся вблизи уровня Ферми.

5) нет правильного ответа

 

4. Какой основной тип связи, как правило, осуществляется в полупроводниках?

1) ионный;

2) ковалентный;

3) металлический;

4) водородный.

5) нет правильного ответа

 

1.  Чем гетеропереход принципиально отличается от гомоперехода?

1. наличием областей с различной шириной запрещенной зоны
2. возможностью образования как анизотипных, так и изотипных переходов
3. наличием различных барьеров для электронов и дырок, что позволяет получить одностороннюю инжекцию.
4.  видом ВАХ, сильно зависящим от концентрации дефектов вблизи металлургической границы

 

1. Активная среда лазера работает по четырехуровневой схеме накачки. Между какими уровнями осуществляют накачку?

1. 3 → 2.
2.   1 →4.
3.    3 → 1.
4.   2 →1.

 

7. Диффузионная длина электронов в р-области диода связана со временем жизни носителей соотношением:

1.      

2.      

3.      

4. нет правильного ответа

 

8 .Внутренним фотоэффектом называют

 1) изменение электропроводности вещества при его освещении,

2) возникновение ЭДС на границе двух материалов под действием света; 3) испускание веществом электронов под действием света.

4) нет правильного ответа.

 

9.Фотоэффектом в запирающем слое (используют в полупроводниковых фотоэлементах) называют

1) изменение электропроводности вещества при его освещении,

2) возникновение ЭДС на границе двух материалов под действием света; 3) испускание веществом электронов под действием света. 14.

       4) нет правильного ответа.

 

10. Световая характеристика фоторезистора линейна, если

1. фотопроводимость меньше тепловой проводимости

2. равна тепловой проводимости

3. больше тепловой проводимости

4) нет правильного ответа.

 

11. В полупроводнике с донорной примесью локальный примесный уровень энергии электронов расположен:

1) в запрещенной зоне вблизи дна зоны проводимости;

2) в запрещенной зоне вблизи потолка валентной зоны;

3) в валентной зоне;

4) в зоне проводимости.

5) в зоне примеси

 

         12.Происхождение энергетических зон в твердых телах обусловлено 1) расщеплением энергетических уровней 2) принципом Паули 3) соотношением неопределенностей 4) энергией теплового движения 5) полной энергией кристалла

            13.Чем характеризуются выпрямляющие и невыпрямляющие контакты металл - полупроводник?

1) выпрямляющие контакты ограничивают выход электронов из

металла в полупроводник, но облегчают движение дырок через контакт; 2) если полупроводник n-типа имеет меньшую, чем металл, работу выхода электронов, то его приповерхностный слой обедняется электронами и становится слоем с повышенным сопротивлением, т.е. контакт приобретает выпрямляющие  свойства; 3) невыпрямляющие контакты характеризуются пониженным сопротивлением вследствие обогащения приповерхностного слоя полупроводника основными носителями заряда; 4) невыпрямляющие контакты характеризуются пропусканием электронов и блокировкой дырок.

 

          14.Каким образом производится отсчет работы выхода? 1) отсчет термодинамической работы выхода ведется относительно уровня Ферми: W = Е0–Еf, где Е0 -нулевая энергия электрона, покоящегося в вакууме; 2) в полупроводниках часто используется внешняя работа выхода, которая равна разности энергий χ = (Е0 – Ес); 3) в донорных полупроводниках работа выхода электрона отсчитывается от донорного уровня, т.е. W = Е0 –Еd; 4) в дырочном полупроводнике работой выхода называется величина (Еa –Еv).

1. В какой части контакта n-полупроводника с металлом

сосредоточено контактное поле? 1) в металле, т.е. в области с наиболее высокой концентрацией электронов; 2) в запирающем слое полупроводника; 3) в обедненном слое с высоким удельным сопротивлением; 4) в приконтактном слое полупроводника, толщина которого d = (2εε0φ0 / q 2 nn0), где φ0 - высота потенциального барьера; nn0 - концентрация основных

 

       16. Монохроматичность (когерентность) лазерного излучения означает

1. излучение имеет строго определенную длину волны

2. излучение происходит по оптической плоскости кристалла

3. излучение имеет исключительно высокую плотность энергии

4. излучение имеет достаточно широкий диапазон частот 

5. излучение имеет достаточно широкий диапазон длин волн

 

    17.Спектр люминесценции кристалла полупроводникового материала зависит от 1) ширины запрещённой зоны 2) характера дефектов кристаллической структуры 3) фазового состояния материала 4) температуры 5) уровня и частоты возбуждающего сигнала

 

     18. Образование заряженных частиц в объеме самостоятельного тлеющего разряда происходит в основном за счет:

1. термической ионизации

2. ионизации при прямом электронном ударе

3. фотоионизации

4) нет правильного ответа.

 

     19. Вольт-амперная характеристика дугового разряда (в виде зависимости напряжения от тока разряда) представляет собой

1. возрастающую кривую

2. прямую линию, параллельную оси тока

3. убывающую кривую

4) нет правильного ответа.

 

20 . Люминесценция, сохраняющаяся длительное время после прекращения действия возбудителя свечения:

1. Люминофоры

2. Фосфоресценция

3. Флуоресценция

4. Резонансные излучения

5. Индуцированное лазерное излучение

 

Тест 6

1. Какой статистике подчиняется электронный газ в металлах?:

1) Больцмана;

2) Максвелла;

3) Бозе - Эйнштейна;

4)Ферми- Дирака.

5) нет правильного ответа

 

2.Уровень Ферми — это
1. энергетический уровень в запрещенной для полупроводников вероятность появления электрона на котором равна 1/2. 
2. энергетический уровень в запрещенной зоне для проводников вероятность появления электрона на котором равна 1/2.
3 энергетический уровень в валентной зоне для полупроводников вероятность появления электрона на котором равна 1/2.
4. энергетический уровень в разрешенной зоне для проводников вероятность появления электрона на котором равна 1/2.
5. энергетический уровень в разрешенной для полупроводников вероятность появления электрона на котором равна 1/2.

 

3. Для какой сингонии соотношения между параметрами элементарной решетки составляют:  и  ?

1) кубической

2) ромбической

3) ромбоэдрической

4) тетрагональной

5) нет правильного ответа

 

4.. Уровень Ферми в полупроводниках вблизи абсолютного нуля расположен:

1) в валентной зоне

2) в зоне проводимости

3) в запрещенной зоне

4) в зоне примеси

5) в запрещенной зоне вблизи дна зоны проводимости;

 

5. Если осветить p-n- переход диода, то на его контактах возникнет разность потенциалов. Какова будет её полярность?

1) + на р; 2) – на p; 3) + на n; 4) – на n

 

6. В диоде с p-n- переходом увеличили степень легирования одной из областей. Что произойдет с величиной емкости перехода (при нулевом смещении)?

1) увеличится; 2) уменьшится  3) не изменится 4) станет равна нулю

 

7. Физической основой работы полупроводниковых светоизлучающих диодов является:
1. фотолюминесценция;
2. тепловое излучение;
3. оже-рекомбинация;
4. инжекционная люминесценция.

5. излучательная рекомбинация

 

8.    Люминесценция, сразу прекращающаяся после окончания действия возбудителя свечения:

1. Люминофоры

2. Фосфоресценция

3. Флуоресценция

4. Резонансные излучения

5. длительное послесвечение

 

9. Как зависит фото-ЭДС солнечного преобразователя от ширины запрещенной зоны материала Е_g

1) фото-ЭДС не зависит от Е_g.

2) чем больше Е_g ,тем меньше фото –ЭДС

1. чем больше Е_g ,тем больше значение фото-ЭДС
2. нет правильного ответа.

 

 

10. Длина волны излучаемого светодиодом света зависит от

1. потока инжектированных через переход носителей

2. ширины запрещенной зоны полупроводника

3. величины приложенного к переходу прямого напряжения

4) нет правильного ответа.

 

11.  При работе фотоэлектрических приборов в фотовентильном режиме

1. внешнее напряжение не прикладывается

2. на переход подается прямое напряжение

 3. на переход подается обратное напряжение

4. нет правильного ответа.

 

12. Для изготовления фоторезисторов применяются

1. собственные полупроводники

2. сегнетоэлектрики

3. сильнолегированные полупроводники

4. нет правильного ответа.

 

 

13. Фотолюминесценция -  Люминесценция, возникающая:

1. под действием видимого и ультрафиолетового излучения

2.   под действием электрического разряда

3.   под действием химических превращений

4.   под воздействием рентгеновских и излучений

5.   под действием радио волн

 

14. Люминесценция:

1. Холодное свечение, появляющееся при охлаждении тел

2. Излучение, обусловленное тепловым движением атомов и молекул вещества

3. Свечение, возникающее при нагревании вещества температуре

4. излучение, избыточное над тепловым излучением тела при данной температуре

5. температурное излучение

 

15. Если ширина запрещенной зоны Е_g < kT, то для полупроводника характерны

1.  отсутствие электропроводности;
2. высокая электропроводность;
3.  низкая вероятность генерации электронно-дырочных пар;
4. высокая подвижность носителей заряда.

 

16. Согласно закону действующих масс в полупроводнике произведение концентраций основных и неосновных носителей заряда равно:

1. постоянной Больцмана;
2.  числу Авогадро;
3. квадрату концентрации собственных носителей заряда;
4.  ширине запрещенной зоны.

 

     17.Причиной возрастания электропроводности полупроводника с ростом температуры является

1.  увеличение подвижности носителей заряда;
2.  уменьшение ширины запрещенной зоны;
3. рост концентрации носителей заряда;
4.  рекомбинация носителей заряда

 

 18. Диффузионный ток через p-nпереход обусловлен:
1. приложенным внешним электрическим полем
2. влиянием температуры
3. стремлением электронов занять энергетически устойчивое положение
4. разностью концентраций основных носителей заряда в p и n областях
5. отсутствием внешнего электрического поля

 

 

19. Прерывистый характер присущ разряду

1. дуговому

2. искровому

3. тлеющему

4) нет правильного ответа.

 

20. Поддержание самостоятельного тлеющего разряда постоянного тока обеспечивается

1. термоэлектронной эмиссией

2. вторичной электрон-ионной эмиссией

3. фотоэлектронной эмиссией

4) нет правильного ответа.

 

 

Тест 7

1.Электрон проходит ускоряющую разность потенциалов U. Соответствующая электрону длина волны де Бройля наименьшая в случае …

1. U = 10 В
2. U = 500 В
3. U = 100 В
4. U = 3000 В
5. U  = 0

 

2. Новые энергетические уровни в кристаллах полупроводников могут образовываться

1. воздействием электрического поля
2. при дефектах кристаллической решетки 
3. введением других элементов в кристаллическую решетку 
4. воздействием излучения
5. тепловыми полями

 

3.Атомы германия и кремния имеют на внешних валентных оболочках

1. по 4 электрона 
2. по 2 электрона
3. 1 электрон
4. 3 электрона
5. 5 электронов

 

1. Что называется генерацией носителей заряда в полупроводниках? 1) переброс носителей заряда с примесных уровней в соответствующие разрешенные зоны или из валентной зоны в зону проводимости; 2) механические колебания носителей заряда в переменном электрическом поле; 3) процессы создания свободных электронов и дырок в соответствующих разрешенных зонах; 4) это проникновение примесных атомов в кристаллическую решетку и установление химических связей с атомами полупроводника.5) нет правильного ответа
2. Выберите правильное утверждение
   
   1. В полупроводнике п-типа при увеличении температуры образуется дырка в зоне проводимости
      2.В полупроводнике п-типа при увеличении температуры образуется дырка в примесной зоне 
      3. В полупроводнике п-типа при увеличении температуры образуется дырка в валентной зоне
      4.В полупроводнике п-типа при увеличении температуры значительная часть электронов примесной зоны переходит в зону проводимости. 
      5. В полупроводнике п-типа при увеличении температуры значительная часть электронов примесной зоны переходит в валентную зону

 

6..Зависимость сечения возбуждения атомов и молекул при электронном ударе от энергии электронов имеет вид

1. экспоненциально возрастающей кривой

2. кривой с максимумом

3. кривой с минимумом

4) нет правильного ответа.

 

7. Какой полупроводник называется примесным?

 1) Смесь нескольких различных полупроводников. 2) Сплав кремния и германия. 3) Полупроводник, содержащий в небольшой концентрации примесь с валентностью, отличной от валентности основного вещества. 4) Механическая смесь частиц металла и диэлектрика. 5)

 

8. Где располагается уровень Ферми у примесных полупроводников р-типа? 1) Посредине запрещенной зоны. 2) В валентной зоне. 3) В зоне проводимости. 4) В запрещенной зоне вблизи валентной зоны. 5) В запрещенной зоне вблизи зоны проводимости.

 

9. Сравните концентрацию носителей в примесных полупроводниках с концентрацией примесей? 1) Концентрация носителей значительно меньше концентрации примесей. 2)  Концентрация носителей приблизительно равна концентрации примесей. 3) Концентрация носителей значительно больше концентрации примесей. 4)  Концентрация носителей  приближается к  концентрации в металлах.

 

10.  Какой эффект описывается формулой J=Js(equ/kT-1)

1.  фотоэлектрический эффект

2.  эффект Холла

3.  эффект Ганна

4.  термо-ЭДС

5.  электронно-дырочный переход

 

11.Диффузионный ток через p-nпереход обусловлен:
1. приложенным внешним электрическим полем
2. влиянием температуры
3. стремлением электронов занять энергетически устойчивое положение
4. разностью концентраций основных носителей заряда в p и n областях
5. отсутствием внешнего электрического поля

 

12. Дрейфовый ток через p-nпереход обусловлен:
1. приложенным внешним электрическим полем
2. влиянием температуры
3. стремлением электронов занять энергетически устойчивое положение
4. разностью концентраций основных носителей заряда в p и n областях
5. отсутствием внешнего электрического поля

 

 

13Для получения двухслойной структуры p-n типа, концентрации примесей в них выбираются следующим образом:
1. N_д >> N_а
2. N_д > N_а
3. N_д = N_а
4. N_д = 0
5. N_д < N_а

 

14.Для описания равновесного состояния p-n перехода справедливо следующее соотношение:
1. I_диф. p – I_диф. n = I_{дрейф. p} + I_{дрейф. n}
2. I_{дрейф. p}= I_диф. + I_{дрейф. n}
3. I_дрейф. = I_диф. n + I_{дрейф. p}

  4. I_диф. p= I_дрейф. – I_диф. n
  5. I_дрейф. = I_{дрейф. p} – I_{дрейф. n}

 

 

15. В реальном p-n-переходе прямой ток больше или меньше чем в идеализированном и по какой причине?

1. меньше, из-за тока термогенерации, который направлен против прямого тока.
2. больше, из-за тока рекомбинации электронов и дырок в обедненной области
3. больше, из-за влияния последовательного сопротивления базы
4. меньше, из-за эффектов инжекции, экстракции неосновных носителей и их диффузии в нейтральных областях

 

16. Почему при освещении кремниевого p-n- перехода солнцем между контактами к p и n областям появляется разность потенциалов?

1) в результате нагрева p-n- перехода и термоэлектрического эффекта Пельтье.

2) в результате возникновения градиента концентрации носителей заряда и эффекта Дембера

3) в результате разделения фотогенерированных носителей полем p-n- перехода.

4)нет правильного ответа.

 

17. Измерения показали, что у диода №1 пробой носит лавинный характер, у диода №2 пробой носит туннельный характер. В каком из диодов пробивное напряжение выше?

1) в 1-м

2) во 2-м

3) одинаково

4)нет правильного ответа.

 

18.Диод Ганна представляет собой полупроводниковый кристалл..

     1. собственной  (беспримесной ) электропроводности

     2. примесной (за счет элементов III гр. Системы Д. И. Менделеева)

     3. примесной (за счет элементов V гр. Системы Д. И. Менделеева)

      4.  преимущественно однородный

     5.  преимущественно неоднородный

 

19.Для какого полупроводника термодинамическая работа выхода электронов меньше? 1) Для полупроводника n-типа. 2) Для полупроводника р-типа. 3) Термодинамическая работа выхода электронов не зависит от типа проводимости. 4) для  собственного полупроводника

 

20.В условиях неравномерного распределения электрического поля в разрядном промежутке, когда радиус кривизны одного электрода существенно отличается от другого, наиболее вероятно возникновение разряда

1. тлеющего 2. высокочастотного 3. коронного 4) нет правильного ответа.

 

 

 

 

 

 

 

 

Тест 8

1. . Основным уравнением нерелятивистской квантовой механики, позволяющим определить вид волновой функции микрочастицы в заданном силовом поле, является

1.  уравнение Шредингера
2.  уравнение Планка
3.  уравнение Дирака
4.  уравнение Эйнштейна
5.  соотношение неопределенностей Гейзенберга

 

1. Принцип Паули гласит, что

1.  в любом атоме не может быть 2-х электронов, находящихся в состоянии, определяемом одинаковым набором 4-х квантовых чисел
2.  любая квантовая система не может находиться в состояниях, в которых координаты центра масс и импульс одновременно принимают точные значения
3.  в любой квантовой системе могут  быть определены состояния, в которых координаты центра масс и импульс одновременно принимают точные значения
4. свет представляет собой сложное явление,   не сочетающее в себе свойства электромагнитной волны и свойства потока частиц
5. в атоме любого  вещества  всегда имеется  2 электрона, находящихся в состоянии, определяемом одинаковым набором 4-х квантовых чисел

 

3. Фотодиод работает на основе физического явления:

1) термоэлектронной эмиссии;

2) рекомбинации носителей заряда под действием квантов света;

3) генерации носителей заряда под действием квантов света;

4) генерации носителей заряда под действием приложенного к фотодиоду напряжения.

 

4.С увеличением работы выхода электронов из металла плотность термоэлектронного тока: 1. линейно возрастает 2. увеличивается экспоненциально 3. Уменьшается.  4) нет правильного ответа.

 

5. Полупроводник-это вещество, проводимость которого сильно зависит от

1) материала полупроводника; 2) воздействия внешних факторов; 3) строения кристаллической решетки; 4) области применения; 5) объема вещества

 

6.Добавление акцепторных примесей в полупроводник позволяет:

1. Повысить количество свободных дырок;2) Понизить количество свободных дырок;3) Повысить количество свободных электронов;4) Понизить количество свободныхэлектронов;5) Добавление акцепторных примесей не влияет на образование носителей заряда;

 

7.На участке 0А  графика функциональной зависимости

диода Ганна дрейфовая скорость «легких электронов» нижней долины по сравнению со скоростью «тяжелый электронов  верхней долины»    оказывается

                     

 

8. Где используется эффект Зеебека?

1)для измерения давления и температуры;

2) для создания термопары;

3) для измерения температуры;

4) для генерации электрического тока.

 

9. Какой эффект является обратным эффекту Зеебека?

1) эффект Холла;

2) эффект Пельтье;

3) эффект Доплера;

4) эффект Томсона.

 

10.Какие из нижеприведённых утверждений характеризуют внешний фотоэффект. 1) для данного фотокатода максимальная начальная скорость фотоэлектронов зависит от частоты света и не зависит от его интенсивности 2) для данного фотокатода максимальная начальная скорость фотоэлектронов зависит от интенсивности света и не зависит от частоты 3) для каждого вещества существует красная граница фотоэффекта 4) число фотоэлектронов, вырываемых из фотокатода за единицу времени пропорционально энергетической освещенности фотокатода 5) величина фототока насыщения не зависит от интенсивности света

 

11.  В чем заключается эффект Холла в полупроводнике?
1.в нагреве полупроводника в электрическом поле;
2.в возникновении ЭДС в магнитном поле;
3. в изменении сопротивления в магнитном поле;

  4. в изменении тока при наличии   магнитного поля в полупроводнике;

 

 

 

12.Какой из полупроводников обладает в равной мере как электронной так и дырочной электропроводностью?

1. n-типа;
2. р-типа;
3. собственный;
4. вырожденный
5. компенсированный

 

13. Почему  при увеличении температуры уменьшается сопротивление полупроводника?
 

1. увеличивается длина свободного пробега электронов;
2. увеличивается количество свободных носителей заряда;
3. усиливаются тепловые колебания узлов кристаллической решетки;
4. при увеличении температуры сопротивление полупроводников увеличивается;
    

14.  Люминесценция вызываемая видимым и ультрафиолетовым излучением называется

 

1. рентгенолюминисценция

2. радиолюминисценция

3. катодолюминисценция

4. электролюминисценция

5. фотолюминисценция

 

15. Основные свойства лазерного излучения:

1. строгая монохроматичность, большая мощность, когерентность

2. малая мощность, большая или малая интенсивность

3. большая мощность, малая интенсивность, когерентность

4. большая или малая интенсивность, больше скорости света

5. строгая монохроматичность, малая интенсивность

 

16. На участке насыщения ВАХ вакуумного диода анодный ток

1. постоянен 2. растет из-за проявления эффекта Шоттки 3. растет из-за проявления туннельного эффекта 4) нет правильного ответа.

 

17. Фотоэлектронная эмиссия - это испускание электронов под действием

1. нагревания 2. электрического поля 3. электромагнитного излучения 4) нет правильного ответа.

 

18.Автоэлектронная эмиссия – это испускание электронов твердым телом под действием 1. электромагнитного излучения 2. нагревания 3. внешнего электрического поля . 4) нет правильного ответа.

 

19.При неупругих столкновениях второго рода с атомами и молекулами газа электроны

1. теряют большую часть энергии 2. теряют малую часть энергии 3. приобретают энергию  4) нет правильного ответа.

 

20.Электронное возбуждение атомов и молекул газа при электронном ударе –это процесс столкновения

1. упругий

2. неупругий первого рода

3. неупругий второго рода

4) нет правильного ответа.

 

Тест 9

 

1. Добавление донорных примесей в полупроводник позволяет:

1) Повысить количество свободных дырок; 2) Понизить количество свободных дырок;

3) Повысить количество свободных электронов;4) Понизить количество свободных электронов;5) Добавление донорных примесей не влияет на образование носителей заряда;

 

2. Отношение приращения фототока к изменению монохроматического лучистого потока называют

1) интегральная чувствительность

2) вольтамперная характеристика

3) спектральная характеристика

4) спектральной чувствительностью

5) световая характеристика

 

3. Зависимость фототока в цепи фотоэлемента от напряжения, приложенного к его электродам при постоянном значении светового потока показывает

1) спектральной чувствительностью

2) интегральная чувствительность

3) световая характеристика

4) вольтамперная характеристика

5) спектральная характеристика

 

4.Если к полупроводнику п-типа приложить внешнее напряжение, то

1. электроны движутся, переходя в зоне проводимости с одного энергетического подуровня на другой. 
2. электроны движутся, переходя в примесной зоне с одного энергетического подуровня на другой.
3. дырки движутся, переходя в зоне проводимости с одного энергетического подуровня на другой.
4. дырки движутся, переходя в примесной зоне с одного энергетического подуровня на другой.

 

 5. Новые энергетические уровни в кристаллах полупроводников могут образовываться
 

1. воздействием электрического поля
2. при дефектах кристаллической решетки 
3. введением других элементов в кристаллическую решетку 
4. воздействием излучения
5. тепловыми полями

 

6. Какой из графиков соответствует  зависимости удельного сопротивления полупроводников п-типа от температуры?

                                                

 

7. Каким типом проводимости обладают полупроводниковые материалы без примесей?

    1. ионной                                        2. В основном электронной

    3. в основном дырочной                4. В равной степени электронной и дырочной

    5. Не проводят ток

 

8. Каким типом проводимости обладают полупроводниковые материалы с  донорными примесями?

    1. В основном электронной                               2. В основном дырочной

    3. В равной степени электронной и дырочной          4. Ионной

    5. Среди вариантов ответа нет правильного

9. В реальном p-n-переходе прямой ток больше или меньше чем в идеализированном и по какой причине?

1. меньше, из-за тока термегенерации, который направлен против прямого тока.
2. больше, из-за тока рекомбинации электронов и дырок в обедненной области
3. больше, из-за влияния последовательного сопротивления базы

4) меньше, из-за эффектов инжекции, экстракции неосновных носителей и их диффузии в нейтральных областях

 

10.Как влияет рост температуры на ВАХ полупроводникового диода?

1. Прямой и обратный токи растут
2. Прямой и обратный токи уменьшаются
3. Прямой ток растет, а обратный уменьшается
4. Обратный ток растет, а прямой уменьшается.
5. Прямой ток увеличивается, а обратный ток не зависит от температуры

 

 

11. Какие частицы в донорном и акцепторном полупроводниках являются основными и неосновными носителями заряда? 1) электроны в полупроводнике п-типа являются основными носителями, а в донорном полупроводнике - неосновными; 2) основные носители в полупроводнике p-типа - дырки, а в акцепторном полупроводнике - электроны; 3) в донорном (электронном, n-типа) полупроводнике основными носителями заряда являются электроны, неосновными - дырки; 4) в акцепторном (дырочном, p-типа) полупроводнике основными носителями заряда являются дырки, а неосновными - электроны.

 

12.Почему металлы и полупроводники различаются способностью проводить электрический ток при температуре 0 К?

1) металлы и полупроводники при Т = 0 К не пропускают электрический ток, т.к. в разрешенных зонах нет свободных уровней; 2) металл при Т = 0 К проводит электрический ток; т.к. в верхней разрешенной зоне есть электроны и свободные уровни; 3) в полупроводниках в верхней разрешенной зоне все уровни свободные, но нет электронов, а в зонах ниже - много электронов, но нет свободных уровней; 4) металлы и полупроводники при Т = 0 К пропускают электрический ток. 3.

13. Дайте правильное определение уровня Ферми. 1) это примесный уровень вблизи середины запрещенной зоны; 2) это самый высокий энергетический уровень, на котором могут одновременно располагаться разные носители; 3) уровень Ферми - это энергетический уровень, вероятность заполнения которого электронами равна 0,5; 4) это уровень. до которого при Т = 0 K зона проводимости металла заполнена электронами.

 

15. Для  какого перехода имеется  различная высота потенциального барьера для электронов и дырок и разрывы краев зон на металлургической границе? 1) омический переход 2) гетеропереход 3) p-n переход 4) переход Шоттки 5) гомопереход

 

16. Для описания равновесного состояния p-nперехода справедливо следующее соотношение:
1. I_диф. p – I_диф. n = I_{дрейф. p} + I_{дрейф. n}
2. I_{дрейф. p}= I_диф. + I_{дрейф. n}
3. I_дрейф. = I_диф. n + I_{дрейф. p}
4. I_диф. p= I_дрейф. – I_диф. n
5. I_дрейф. = I_{дрейф. p} – I_{дрейф. n}

17. На рисунке изображены две вольт-амперные характеристики для фоторезистора. Сопротивление какого фоторезистора больше? Какой график относится к освещённому фоторезистору?

1. I, I                                          2.  I, II                  

3. II, I                                                  4. II, II        

5. Правильный ответ не приведён.

 

 

 

 

18.Состояние вещества в виде низкотемпературной плазмы реализуется в

1. положительном столбе тлеющего разряда

2. катодных областях тлеющего и дугового разряда

3. искровом разряде

4) коронном разряде

 

19. Вторичная электронная эмиссия – это испускание электронов под действием 1. нагревания 2. электромагнитного излучения 3. внешнего электрического поля между анодом и катодом.    4) потока электронов и положительных ионов .5) нет правильного ответа.

 

20.Несамостоятельный разряд может происходить

 1) при высоких температуре и давлении;

2)при высокой температуре или рентгеновском облучении газа ;

3) при высокой температуре и рентгеновском облучении газа

4) нет правильного ответа.

 

Тест 10

 

  1. Формула Эйнштейна для внешнего фотоэффекта имеет вид … .

    1) 2)  3)  4)  5) 

 

1. Какие частицы в донорном и акцепторном полупроводниках являются основными и неосновными носителями заряда? 1) электроны в полупроводнике п-типа являются основными носителями, а в донорном полупроводнике - неосновными; 2) основные носители в полупроводнике p-типа - дырки, а в акцепторном полупроводнике - электроны; 3) в донорном (электронном, n-типа) полупроводнике основными носителями заряда являются электроны, неосновными - дырки; 4) в акцепторном (дырочном, p-типа) полупроводнике основными носителями заряда являются дырки, а неосновными - электроны.

 

1.  Выделите среди нижеприведенных правильное определение диффузионной емкости p-n перехода?

 

1) Это внешняя емкость, подключенная к p-n переходу для снижения пульсаций; 2) Это емкость, обусловленная накоплением заряда неосновных носителей при прямом смещении p-n перехода и его рассасыванием при обратном смещении;

3) Это емкость, связанная с изменением толщины двойного слоя объемного заряда p-n перехода при подаче внешнего смещения;

4) Это емкость между металлическими контактами, через которые подается внешнее смещение к p-n переходу.

 

1. Что собой представляет эффект Пельтье?

1) это выделение или поглощение теплоты в контакте двух разнородных полупроводников или полупроводника и металла при протекании через контакт электрического тока;

2) если равновесная энергия электронов в металле меньше, чем в зоне проводимости полупроводника, то при протекании электрического тока из полупроводника в металл [напряжение (+) - на полупроводнике, (-) - на металле] электроны получают дополнительную энергию за счет атомов решетки вблизи контакта, который охлаждается;

3) при противоположной полярности напряжения электроны полупроводника с большей равновесной энергией перетекают в металл и отдают избыток энергии при столкновениях с атомами металла. Контакт нагревается;

4) возникновение потенциального барьера для носителей заряда в контакте металл-полупроводник

 

1. Расположить в порядке возрастания значения работ выхода в собственном (Фi), электронном (Фn)и дырочном полупроводниках (Фp).

1. Фn>Фp>Фi

2. Фi>Фp>Фn

3. Фp>Фi>Фn

4. Фp>Фn>Фi

 

1. От чего зависит удельная электропроводимость примесных полупроводников при постоянной (300 К) температуре?

1. от концентрации примеси

2. от полярности приложенного напряжения

3. от ширины запрещенной зоны

4. от валентности примеси

 

1. Какой полупроводник имеет большее удельное электрическое сопротивление?

1. примесный n-типа

2. примесный p-типа

3. компенсированный

4. собственный

 

1. Чем в основном определяется собственная концентрация носителей заряда при T=const?  1. шириной запрещенной зоны

2. типом проводимости

3. положением уровня Ферми

4. эффективной массой

 

 

      9. Вольт-амперная характеристика диода   имеет вид

1.

2.

        3.

                4. нет правильного ответа

 

1. За счет чего p-n переход проводит электрический ток только в одном направлении?
    

1. при приложении электрического поля происходит образование «дырок» в р-области;
2. в р и n областях разные концентрации электронов и «дырок»;
   р-область гораздо больше n-области;
3. происходит пробой перехода;
4.  в изменении  сопротивления полупроводника 
5. нет правильного ответа  

 

 

11.Омический контакт металл-полупроводник?

1) это контакт, который не изменяет соотношения электронной и дырочной компонент протекающего через него тока;

2) омический контакт возникает, если работа выхода электрона из металла меньше, чем из полупроводника n-типа, вследствие чего приповерхностная область последнего обогащается электронами;

3) омический контакт к акцепторному полупроводнику можно создать, если выбрать металл с работой выхода электронов больше, чем в полупроводнике;

4) любой контакт металл-полупроводник  который имеет нелинейную вольт – ампеpную характеристику.

 

12.Где располагается уровень Ферми у невырожденного р-полупроводника?  

1) Посередине запрещенной зоны

2) В запрещенной зоне ближе к дну зоны проводимости

3) В запрещенной зоне ближе к потолку валентной зоны

4) Внутри зоны проводимости

5) Внутри валентной зоны  

 

13.Что называется диффузионной длиной?

1) Длина свободного пробега электрона при диффузионном движении

2) Расстояние, на котором концентрация носителей заряда при диффузионном движении убывает в е раз.

3) Расстояние, на котором концентрация носителей заряда при диффузионном движении убывает в 10 раз.

4) Расстояние между p-n переходом и контактом диода.

5) Ширина p-n перехода.    

 

     14. Ээлектропроводность полупроводника с ростом температуры  растет из-за

1.  рекомбинация носителей заряда
2. увеличение подвижности носителей заряда;
3.  уменьшение ширины запрещенной зоны;
4. рост концентрации носителей заряда;
5.  нет правильного ответа

 

 15. Диффузионный ток через p-n переход возникает   вследствие
1. приложенного внешнего электрического поля
2.   При увеличении температуры

1.  Из-за стремления электронов занять энергетически устойчивое положение
2.  разности концентраций основных носителей заряда в p и n областях
3.  Отсутствия  внешнего электрического поля

 

16.  Гомопереход предполагает выполнение требования:

1) контактная разность равна разности термодинамических работ выхода p и n областей;

2) контактная разность равна разности уровней Ферми p и n областей;

3) контактная разность равна разности сродства к электрону p и n областей.

4) контактная разность не равна разности термодинамических работ выхода p и n областей;

5) нет правильного ответа

 

1. Какой из полупроводников обладает в равной мере как электронной так и дырочной электропроводностью?

1. n-типа;
2. р-типа;
3. собственный;
4. вырожденный
5. компенсированный

 

18.Самостоятельный разряд возможен вследствие

1) увеличения разности потенциалов между электродами;

2)ионизации газа вследствие нагревания ;

3) начала ионизации электронным ударом;

 4)ионизации газа рентгеновским или ультрафиолетовым излучением.

 

19. Чем объясняется возрастание тока в цепи, при освещении полупроводника?

    1. Ростом концентрации носителей заряда     

    2. Увеличением скорости рекомбинации

    3. Возникновением объёмного заряда             

    4. Эмиссией электронов

    5.  Среди предложенных ответов нет правильного.

 

20. Вид газового разряда зависит от

 1) температуры газа и его давления;

2) температуры газа и подаваемого напряжения;

 3) подаваемого напряжения и давления газа ;

4) подаваемого напряжения и рода газа.