МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ И КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ по дисциплине "Физико-химические основы материалов и электронных компонентов"
для студентов специальности 1-39 03 01 «Электронные системы безопасности» заочной формы обучения
КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ
Вариант 1
- Классификация, конструктивно-технологические и функциональные особенности электронных компонентов, образующих твердотельные функциональные структуры, полупроводниковые и гибридные интегральные схемы.
- Задача.
Вариант 2
- Строение твердых тел (аморфные, стеклообразные и кристаллические вещества). Кристаллическая решетка. Характеристики кристаллов.
- Задача.
Вариант 3
- Основы теории сплавов. Фазовые составляющие сплавов. Основные превращения. Диаграммы состояния. Связь между структурой и свойствами сплавов.
- Задача.
Вариант 4
- Основные характеристики механической деформации тел. Обобщённый закон Гука, связь между упругими константами.
- Задача.
Вариант 5
- Виды нагружения материалов: растяжение, сдвиг, кручение, изгиб.
- Задача.
Вариант 6
- Упругая и пластическая деформация. Механизмы пластической деформации. Внутренние напряжения и деформации. Текстура. Наклеп.
- Задача.
Вариант 7
- Классификация свойств материалов. Основные функциональные, технологические и потребительские характеристики.
- Задача.
Вариант 8
- Механические свойства конструкционных материалов в условиях статического нагружения (прочность, пластичность, твердость). Виды статических испытаний.
- Задача.
Вариант 9
- Электрофизические свойства материалов (электропроводность, поляризация, пробой, диэлектрические потери). Проводники, полупроводники, диэлектрики.
- Задача.
Вариант 10
- . Электропроводность металлов и собственных полупроводников.
- Задача.
Вариант 11
- Теплофизические свойства материалов (теплостойкость, жаропрочность, хладоломкость, тепло- и температуропроводность, тепловое расширение и др.).
- Задача.
Вариант 12
- Магнитные свойства материалов. Ферро- и ферримагнетики.
- Задача.
Вариант 13
- Величина магнитной индукции для магнитных и немагнитных материалов. Магнитные потери и механизм намагничивания.
- Задача.
Вариант 14
- Классификация и физико-химические основы процессов формирования активных и пассивных электронных компонентов внутри и на поверхности твердых тел (подложек)
- Задача.
Вариант 15
- Классификация процессов формирования электронных компонентов по характеру их протекания и температурному диапазону.
- Задача.
Вариант 16
- Основные способы передачи тепла в термических процессах.
- Задача.
Вариант 17
- Основные закономерности удаления веществ с поверхности твердых тел испарением в вакууме.
- Задача.
Вариант 18
- Основные закономерности удаления веществ с поверхности твердых тел пучковыми технологиями в химических и электрохимических жидких средах.
- Задача.
Вариант 19
- Механизмы диффузии примесей в идеальных и реальных кристаллах. Основные положения ионной имплантации.
- Задача.
Вариант 20
- Закономерности взаимодействия ускоренных ионов с монокристаллами, поликристаллическими и аморфными телами.
- Задача.
Вариант 21
- Физико-химические процессы при термическом окислении кремния и модели, описывающие этот процесс.
- Задача.
Вариант 22
- Формирование пленочных и эпитаксиальных структур пассивными и активными термическими методами.
- Задача.
Вариант 23
- Формирование пленочных и эпитаксиальных структур пассивными и активными ионно-лучевыми методами.
- Задача.
Вариант 24
- Формирование пленочных и эпитаксиальных структур пассивными и активными магнетронными методами.
- Задача.
Вариант 25
- Классификация и сравнительные характеристики неразъемных соединений.
2. Задача.
Вариант 26
- Физико-химические основы формирования паяных соединений.
- Задача.
Вариант 27
- Физико-химические основы формирования микросварных соединений.
- Задача.
Вариант 28
- Физико-химические основы формирования клеевых соединений.
- Задача.
Вариант 29
- Методы исследования и критерии качества неразъемных соединений.
- Задача.
Вариант 30
- Процесс диффузионного легирования кремния, основные методы расчета диффузионных структур и контроля их параметров.
- Задача.
1. По диаграмме состояния системы Cu-Ni опишите взаимодействие компонентов в твердом и жидком состояниях, укажите структурные составляющие во всех ее областях, объясните характер изменения свойств сплавов с помощью правила Курнакова и по правилу рычага определите соотношение жидкой и твердой фаз и их концентрации для сплава, содержащего 30% Cu, между линиями ликвидус и солидус.
- Опишите явление полиморфизма на примере кобальта. Как различаются строение, основные характеристики кристаллической решетки (размеры, координационное число, плотность упаковки и др.) и свойства Соа и Сор.
- Роль дислокаций в процессах пластической деформации и формирования напряженно-деформированного состояния.
4 Определите состав сплава, содержащего 3,1 % С, по фазовым и структурным составляющим. Охарактеризуйте основные свойства этих составляющих.
- На примере меди, алюминия и магния опишите строение и основные характеристики ОЦК, ГЦК и ГПУ кристаллических решеток.
- Алюминиевый сплав Д1 имеет твердость 118НВ [кГс/мм ], бронза БрА7 - КГС180НВ, а сталь 45 - 350НВ. Чему равно их временное сопротивление аВ [МПа]?
- Что такое технологическая анизотропия холоднодеформированного металла? Как она возникает, на какие свойства влияет и как устраняется?
- Для изготовления деталей конструктивной базы РЭС применяют бронзы БрОФ10-1 и БрОЦС4-4-2,5. Расшифруйте состав и назначение легирующих элементов. Приведите механические и технологические свойства этих сплавов.
- По диаграмме состояния медь-цинк опишите характер превращений и взаимодействия компонентов, укажите структурные составляющие во всех областях диаграммы и объясните изменение свойств латуней.
- Чему равен коэффициент Пуассона, модуль Юнга и модуль сдвига, если образец с d0 = 2,2 мм и l0 = 100 мм упруго сдеформировался до di = l,97 мм и 11 = 127 мм. Модуль объемной упругости материала k = 1,87 105 МПа.
- Определите глубину проникновения электрического поля в алюминиевый и железный проводники на частотах 400 и 105 Гц. Считать: для Al - ц = 1, р = 0,028 мкОм •м, для Fe - ц = 1000, р = 0,1 мкОм •м.
- Определите запас по электрической прочности плоского конденсатора и толщину диэлектрика в нем, если емкость конденсатора 68 пФ, площадь обкладок 10 см , а рабочее напряжение 10 кВ. Диэлектрическая проницаемость диэлектрика s = 6,5, Епр = 5 10 В/м.
- Определить время, в течение которого электрон пройдет расстояние в 1 км по медному проводнику, если р = 0,017 мкОм •м, U = 220 В, на атом приходится один свободный электрон. За какое время он прошел бы это расстояние при отсутствии рассеяния?
- Удельное сопротивление медного проводника, содержащего 0,5 ат.% индия, равно 0,0234 мкОм •м. Определить концентрацию атомов индия в сплаве с р = 0,0298 мкОм •м, полагая, что все остаточное сопротивление обусловлено рассеянием на атомах примеси. (Использовать правила Маттисена и Линде).
- Стержень из графита соединен последовательно с медным стержнем того же сечения. Определить, при каком соотношении их длин, сопротивление композиции не зависит температуры. Принять для меди - р = 0,017 мкОм •м, ар = 4,3 10 К , для графита - р = 8,0 мкОм •м, ар = -10 К .
- Сопротивление вольфрамовой нити электрической лампочки при 200С равно 35 Ом. Определить температуру нити, если в установившемся режиме работы при U = 220 В по ней проходит ток 0,6А. Считать ар = aR = 5 10-3 К-1.
- Вычислить собственную концентрацию носителей заряда в кремнии при 250 К, если ширина его запрещенной зоны Eg = 1,12 эВ, а эффективные массы плотности состояний mc = 1,05 mo, mv = 0,56 mo.
- Определить время жизни и подвижность электронов в невырожденном Ge при Т = 300 К. Диффузионная длина электронов LH = 1,5 мм, а коэффициент диффузии Dn = 9,8-10 м /с.
- Катушка с ферритовым тороидальным сердечником диаметром 10 мм имеет индуктивность 0,12 Гн и содержит 1000 витков. Определить ток в катушке, при котором магнитная индукция в сердечнике равна 0,1 Тл.
- Цилиндрический стержень диаметром 10 мм и длиной 20 мм из диэлектрика с удельным объёмным сопротивлением р-v = 1013 Ом^м и удельным поверхностным сопротивлением рs = 1014 Ом имеет на торцах металлические электроды. Определить сопротивление между ними.
- Рассчитайте, насколько изменится диэлектрическая проницаемость конденсаторной бумаги с плотностью dб = 1000 кг/м3 после пропитки ее
конденсаторным маслом. Для целлюлозы ец = 6,5; d4 = 1500; sB = 1; dB = 0; sM = 2,2. Использовать формулу Лихтеннекера для сложного диэлектрика в предположении, что компоненты включены последовательно.
- Пленочный конденсатор, диэлектрик которого имеет s = 3 теряет за 30 минут половину сообщенного ему заряда. Полагая, что утечка происходит только через пленку диэлектрика, определите его удельное сопротивление.
- Определите удельные электрические потери в плоском конденсаторе, изготовленном из пленки полистерола толщиной 20 мкм, если на него подано напряжение 2 В частотой 2 МГц. Для полистирола s = 2,5; tg 8 = 2-10-4.
- В ферритовом кольцевом сердечнике дросселя на частоте f = 0,1 МГц напряженность магнитного поля Н = 4 А/м. Найти удельные магнитные потери в сердечнике, если tg8w = 0,2, а магнитная проницаемость феррита ц. = 2500.
- Кольцевой ферритовый сердечник со средним диаметром d^ = 25 мм имеет воздушный зазор длиной 1 мм. При пропускании тока 0,17 А через обмотку сердечника, состоящую из 500 витков, в зазоре создается индукция Во = 0,1 Тл. Определите магнитную проницаемость феррита.
- Вычислить длину свободного пробега электронов в меди при Т = 300К, если её удельное сопротивление при этой температуре равно 0,017 мкОм^м .
- Градиент потенциала Е в образце кремния собственной
проводимости составляет 400 В/м. Подвижности электронов и дырок соответственно равны: = 0,12 м /Вю ; цр = 0,025 м /Вю . Определить для
этого образца:
а) скорости дрейфа электронов и дырок;
б) удельное сопротивление кремния собственной проводимости, полагая, что концентрация собственных носителей заряда 2,5-1016 м-3.
в) полный дрейфовый ток, если площадь поперечного сечения образца равна 3 • 10-6 м2
- Кристалл цинка имеет плотноупакованную гексагональную решётку с
постоянными а = 2,66^10-1° i и с = 4,95^10-1° м. Найти плотность цинка и
-2
объём элементарной ячейки. Молярная масса цинка М = 6,537^10" кг/моль.
- Германий имеет кристаллическую решётку типа алмаза. Полагая, что длина ребра элементарной ячейки равна а = 0,54нм, определить:
а) число атомов, приходящихся на единицу площади в кристаллических плоскостях (111), (100) и (110), привести рисунки этих плоскостей;
-2
б) удельную плотность германия. Молярная масса М = 7,62-10" кг/моль.
- Алюминий имеет кристаллическую решётку типа ГЦК и параметр решётки а = 4,04А. Определить число атомов, приходящихся на единицу площади в плоскостях (111), (100) и (101).
- Определить число атомов, приходящихся на единицу площади в плоскостях (111), (100) и (110) для железа а-модификации, имеющего структуру ОЦК и постоянную решётки а = 2,8бА.