Физико-химические основы микро- и наноэлектроники

http://reshuzadachi.by/zakaz-raboty.html

Методические рекомендации для выполнения контрольной работы
по дисциплине «Физико-химические основы микро- и наноэлектроники»

Изучение дисциплины предусматривает не только изучение студентами учебной и учебно-методической литературы, но также и самостоятельную работу над справочной и специализированной научно-технической литературой: патентной информацией, последними достижениями в области микро- и наноэлектроники, отраженными в специализированных журналах.

При выполнении контрольной работы студент дает полный ответ на теоретические вопросы, которые поясняются рисунками, графиками, диаграммами. В конце контрольной работы должен быть приведен список использованных источников. Задание включает 3 вопроса по основным разделам курса. Объем контрольной работы – 10–15 листов формата А4. Текст должен быть набран шрифтом Times New Roman, размер 14, межстрочный интервал 1,0–1,15.

Варианты заданий контрольной работы

Вариант 1

1. Физические процессы обеспечения адгезии благородных металлов на полупроводниках.
2. Волновые свойства микрочастиц. Уравнение Шредингера. Движение свободной частицы.
3. Диффузия из бесконечного и конечного источников. Распределение примесей при диффузии.

Вариант 2

1. Физические процессы обеспечения адгезии благородных металлов на диэлектриках.
2. Автоэпитаксия и гетероэпитаксия из газовой и жидкой фаз.
3. Влияние примесей в кремнии на скорость роста оксидных слоев.

Вариант 3

1. Физико-химические основы получения диэлектрических слоев на Si.
2. Общие сведения о магнетизме. Классификация веществ по магнитным свойствам.
3. Законы диффузии.

Вариант 4

1. Физико-химические основы получения диэлектрических слоев на SiO₂.
2. Механизмы намагничивания в постоянном и переменном полях. Тонкие магнитные пленки.
3. Термодинамика поверхностных реакций.

Вариант 5

1. За счет чего обеспечивается адгезия переходных металлов на SiO₂.
2. Волновые свойства микрочастиц. Движение свободной частицы. Туннельный эффект.
3. Механизм диффузии примесей в идеальных и реальных кристаллах.

Вариант 6

1. Основные физико-химические процессы преобразования твердых тел в газообразное состояние при повышении температуры.
2. Эпитаксия соединений А_IIIB_V и твердых растворов на их основе.
3. Термодинамика процессов растворения.

Вариант 7

1. Физико-химические процессы срастания химически активных металлов с SiO₂.
2. Контакт полупроводника и металла. Токоперенос в контакте с барьером Шоттки. Невыпрямляющий контакт.
3. Диэлектрическая проницаемость. Электропроводность диэлектриков.

Вариант 8

1. Основы преобразования металлов в парообразное состояние в плазме.
2. Представление о компонентах и фазовых составляющих сплавов. Типы фаз двойных сплавов и химических соединений. 
3. Адгезия и когезия.

Вариант 9

1. Сущность мокрых процессов очистки поврежденных подложек.
2. Общие сведения о проводниках. Физическая природа электропроводности металлов.
3. Законы роста оксидных слоев. Кинетика процесса термического окисления кремния.

Вариант 10

1. Разновидности сухих процессов в производстве интегральных схем (ИС).
2. Поглощение излучения в полупроводниках. Эффекты Холла и Ганна.
3. Химические процессы в плазме и на поверхности. 

Вариант 11

1. Почему алюминий находит широкое применение для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС)?
2. Химические процессы при термическом окислении в сухом кислороде и в парах воды.
3. Характеристики разрядов в газах и основные параметры неравновесной плазмы.

Вариант 12

1. Условия образования силицидов в контактных окнах интегральных схем (ИС).
2. Понятие о диаграммах состояния термодинамических систем. Тройная точка. Критические точки.
3. Соотношение Дила-Гроува. Механизмы роста термического оксида кремния.

Вариант 13

1. Можно ли сформировать силициды на диэлектрических пленках?
2. Диаграмма состояния. Линия ликвидуса, линия солидуса. Системы с ограниченной взаимной растворимостью компонентов в твердом состоянии.
3. Физико-химические основы ионного распыления.

Вариант 14

1. По каким параметрам ионно-плазменное формирование пленочных слоев находит широкое применение.
2. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках. Закон Бугера-Ламберта.
3. Коэффициент диффузии. Зависимость коэффициента диффузии от температуры, концентрации примесей, электрического поля.

Вариант 15

1. Плазменное окисление.
2. Соотношение Эйнштейна. Основные и неосновные носители заряда. Механизмы рекомбинации.
3. Электродиффузия в тонких слоях.

Вариант 16

1. Классификация процессов по характеру их протекания и температурному диапазону: удаление веществ, диффузия, плавление
2. Собственные, примесные, вырожденные полупроводники.
3. Равновесное состояние p-n- перехода. Выпрямление на p-n- переходе. Пробой p-n- перехода. Гетеропереходы.

Вариант 17

1. Виды химической связи.
2. Тепловые эффекты при электронно-лучевой технологии.
3. Поверхностная проводимость и рекомбинация.

Вариант 18

1. Классификация процессов по характеру их протекания и температурному диапазону: окисление, эпитаксия, спекание.
2. Электропроводность полупроводников. Механизмы рассеяния и подвижность носителей заряда в полупроводниках.
3. Образование силицидов.

Вариант 19

1. Обозначения плоскостей и направлений в кристаллической решетке. Индексы Миллера.
2. Кинетика процессов ионного травления.
3. Влияние состояния поверхности на параметры полупроводниковых приборов.

Вариант 20

1. Удельное сопротивление металлических полупроводников. Электрофизические свойства тонких металлических пленок
2. Физико-химические основы процесса ионно-химического травления.
3. Пробеги ионов в аморфных и монокристаллических мишенях.

Вариант 21

1. Особенности химической связи в полупроводниках.
2. Классификация контактных явлений. Работа выхода, термоэлектронная эмиссия. Контактная разность потенциалов.
3. Понятие о коэффициенте распыления. Зависимость коэффициента распыления от различных факторов.

Вариант 22

1. Базовые технологические процессы, стимулируемые температурой. Основные способы передачи тепла в термических процессах: теплопроводность, конвекция, излучение.
2. Сверхпроводники первого и второго рода. Эффект Джосефсона.
3. Взаимодиффузия и реакции в контактах металл-металл, металл-полупроводник.

Вариант 23

1. Элементы зонной теории. Энергетические зоны. Зоны Брильюэна.
2. Физико-химические основы процесса плазмохимического травления твердых тел.
3. Пространственное распределение испаряемых частиц. Состав конденсируемого слоя при испарении. Конденсация испаренных частиц на подложке. 

Вариант 24

1. Классификация дефектов кристаллического строения (точечные, линейные, двумерные, и объёмные), их влияние на свойства твёрдых тел.
2. Распределение температуры в твердом теле при электронно-лучевой обработке.
3. Потери в диэлектриках. Виды диэлектрических потерь. Пробой диэлектриков.

Вариант 25

1. Классификация процессов по характеру их протекания и температурному диапазону: термообработка, рекристаллизация, фотолитография, сушка, обезгаживание.
2. Классификация диэлектриков. Поляризация диэлектриков. Механизмы поляризации.
3. Особенности физико-химических процессов при электронно-лучевом испарении.

Вариант 26

1. Понятие о дырках. Примесные уровни в полупроводниках.
2. Размерные эффекты. Сверхпроводимость.
3. Пространственное распределение потока распыленных частиц при распылении аморфных и монокристаллических материалов.

Вариант 27

1. Кристаллическая решетка, ее типы и параметры.
2. Контакт двух металлов. Термоэлектрические эффекты в твердых телах.
3. Электронное и ядерное торможение.

Вариант 28

1. Металлы, полупроводники и диэлектрики в свете зонной теории. Распределение электронов.
2. Физико-химические основы процессов очистки и отмывки пластин и подложек.
3. Распыление многокомпонентных материалов.

Вариант 29

1. Правило Маттисена.
2. Эффект поля. Адсорбционные процессы на поверхности твердого тела.
3. Реактивное ионное распыление.

Вариант 30

1. Строение твёрдых тел: аморфные, стеклоподобные, кристаллические.
2. Поверхностные состояния. Уровни Тамма.
3. Физико-химические основы нетермических электронно-лучевых процессов.